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多晶硅原料如何破碎

    光伏多晶硅料为何需要破碎?如何破碎?技术资讯中国粉体网

    目前多晶硅加工的方法主要有人工破碎法、热淬破碎法、机械破碎法、高压脉冲放电技术破碎法。 人工破碎 人工破碎就是借助辅助工具直接通过人力将硅棒进行敲碎,从而实现硅棒的碎裂粒度需求。 通常情况下,人们会使用含特殊物质的碳化钨锤以及合金锤等形式敲碎多晶硅棒。 这里的破碎是由破碎锤快速下落接触多晶硅棒的一瞬间,对其 多晶硅产品粒度分布 目前多晶硅加工的方法主要有人工破碎法、热淬破碎法、机械破碎法、高压脉冲放电技术破碎法。1 人工破碎 人工破碎就是借助辅助工具直接通过人力将硅棒进行敲碎,从而实现硅棒的碎裂粒度需求。光伏多晶硅料为何需要破碎?如何破碎?世展网

    一种水爆破碎多晶硅料的方法 百度学术

    本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉冷却,将冷却的装载原生硅多晶硅棒料的装料框进行流动水冷却,得到表面产生裂纹的原生硅多晶硅棒料,再进行对碰破碎后分选,得到尺寸为10mm~100mm的硅料粗品,经清洗烘干得到硅料本发明采用装料筐装载原生硅多 目前多晶硅加工的方法主要有人工破碎法、热淬破碎法、机械破碎法、高压脉冲放电技术破碎法。 人工破碎 通常情况下,人们会使用含特殊物质的碳化钨锤以及合金锤等形式敲碎多晶硅棒。光伏多晶硅料为何需要破碎?如何破碎?中国纳米行业门户

    透视多晶硅:一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺

    把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中,生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl)。 其化学反应Si+HCl→SiHCl+H↑,反应温度为300度,该反应是放热的。 同时形成气态混合物(Н,НСl,SiНСl,SiCl,Si)。 3、第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,需要分解:过滤硅粉,冷凝SiНСl,SiCl,而气 多晶硅 (Polysilicon)作为半导体材料所使用的基础材料,在微电子技术和光伏发电技术中应用普遍,被称为"微电子大厦的基石"多晶硅破碎长久以来一直是采用人工使用镶嵌硬质合金或者碳化钨合金的破碎锤进行敲碎作业,即使在一些多晶硅技术较先进的国家也一贯采用这种破碎方式人工破碎灵活性好,但破碎效率低,破碎过程中产生的粉尘,对工人健康危害较大随着国 冲击式多晶硅破碎装置的研究与设计 百度学术

    多晶硅破碎系统和多晶硅破碎方法与流程 X技术网

    此外,本发明提供的多晶硅破碎方法中,通过加热炉能够对多晶硅进行加热,通过冷却水能够对加热后的多晶硅进行速冷处理,以使多晶硅表面和内部瞬间降温,产生晶裂,提高脆性,便于后续挤压破碎。而且目前市场上比较常见的方法就是人工破碎——采用钨钼合金锤对于原生多晶硅棒或者大块料进行破碎,此方法虽然能够将硅料破碎至市场要求的尺寸,但是产量低,效率低,生产过程粉尘大,污染较大,硅料损耗大,生产成本较高,尤其是人工投入成本较大一种水爆破碎多晶硅料的方法与流程 X技术网

    多晶硅棒破碎系统及破碎方法与流程 X技术网

    还有些是通过先加热多晶硅棒再瞬间冷却使多晶硅棒释放晶间应力,再进行破碎,该方法具体操作时一般是先停炉,打开钟罩进行自然冷却到一定温度再用运输车运输至处理工序进行升温,再冷却,再通过运输车转运至破碎工序进行破碎。 本技术的发明人在研究中发现,一方面,这种方式对多晶硅棒先降温,破碎时还需重新加热升温,损失了热 本发明涉及破碎多晶硅块而得的多晶硅破碎物,且详细来说涉及粒子尺寸500~100μm的多晶硅粉的含有量降低,微小硅尘少,表面金属污染降低的多晶硅破碎物。又,本发明涉及适用于制造上述多晶硅破碎物的多晶硅块破碎装置。背景技术制造多晶硅(也称为多晶硅)的方法有西门子法。西门子法会将多晶硅破碎物、多晶硅破碎物的制造方法及多晶硅块破碎

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    此外,本发明提供的多晶硅破碎方法中,通过加热炉能够对多晶硅进行加热,通过冷却水能够对加热后的多晶硅进行速冷处理,以使多晶硅表面和内部瞬间降温,产生晶裂,提高脆性,便于后续挤压破碎。而且目前市场上比较常见的方法就是人工破碎——采用钨钼合金锤对于原生多晶硅棒或者大块料进行破碎,此方法虽然能够将硅料破碎至市场要求的尺寸,但是产量低,效率低,生产过程粉尘大,污染较大,硅料损耗大,生产成本较高,尤其是人工投入成本较大一种水爆破碎多晶硅料的方法与流程 X技术网

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    还有些是通过先加热多晶硅棒再瞬间冷却使多晶硅棒释放晶间应力,再进行破碎,该方法具体操作时一般是先停炉,打开钟罩进行自然冷却到一定温度再用运输车运输至处理工序进行升温,再冷却,再通过运输车转运至破碎工序进行破碎。 本技术的发明人在研究中发现,一方面,这种方式对多晶硅棒先降温,破碎时还需重新加热升温,损失了热 本发明涉及破碎多晶硅块而得的多晶硅破碎物,且详细来说涉及粒子尺寸500~100μm的多晶硅粉的含有量降低,微小硅尘少,表面金属污染降低的多晶硅破碎物。又,本发明涉及适用于制造上述多晶硅破碎物的多晶硅块破碎装置。背景技术制造多晶硅(也称为多晶硅)的方法有西门子法。西门子法会将多晶硅破碎物、多晶硅破碎物的制造方法及多晶硅块破碎

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    把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中,生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl)。 其化学反应Si+HCl→SiHCl+H↑,反应温度为300度,该反应是放热的。 同时形成气态混合物(Н,НСl,SiНСl,SiCl,Si)。 3、第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,需要分解:过滤硅粉,冷凝SiНСl,SiCl,而气 多晶硅 (Polysilicon)作为半导体材料所使用的基础材料,在微电子技术和光伏发电技术中应用普遍,被称为"微电子大厦的基石"多晶硅破碎长久以来一直是采用人工使用镶嵌硬质合金或者碳化钨合金的破碎锤进行敲碎作业,即使在一些多晶硅技术较先进的国家也一贯采用这种破碎方式人工破碎灵活性好,但破碎效率低,破碎过程中产生的粉尘,对工人健康危害较大随着国 冲击式多晶硅破碎装置的研究与设计 百度学术

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